الف – پرداخت وجه بحساب وب سایت ایران ترجمه(شماره حساب)ب- اطلاع جزئیات به ایمیل irantarjomeh@gmail.comشامل: مبلغ پرداختی – شماره فیش / ارجاع و تاریخ پرداخت – مقاله مورد نظر --مقالات آماده سفارش داده شده پس از تایید به ایمیل شما ارسال خواهند شد.
قیمت
قیمت این مقاله: 15000 تومان
(ایران ترجمه - irantarjomeh)
توضیح
بخش زیادی از این مقاله بصورت رایگان ذیلا قابل مطالعه می باشد.
شماره
۸۶
کد مقاله
ELC86
مترجم
گروه مترجمین ایران ترجمه – irantarjomeh
نام فارسی
فیزیک ابزاری ترانزیستورهای اثر میدان FET نانو لوله کربنی
نام انگلیسی
Device Physics of Carbon Nanotube FETs
تعداد صفحه به فارسی
۷
تعداد صفحه به انگلیسی
۷
کلمات کلیدی به فارسی
فیزیک ابزاری، ترانزیستورهای اثر میدان FET، نانو لوله کربنی
کلمات کلیدی به انگلیسی
Device Physics, Carbon Nanotube, FETs
مرجع به فارسی
دپارتمان مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه پوردیو، ایالات متحده
مرجع به انگلیسی
Network for Computational Nanotechnology and Purdue Universit
کشور
ایالات متحده
فیزیک ابزاری ترانزیستورهای اثر میدان FET نانو لوله کربنی
فیزیک ابزاری ترانزیستورهای اثر میدان FET)) نانو لوله کربنی
از زمان اولین گزارشات نانو لوله های کربنی تک جداره (CNT ها)، آنها بعنوان موضوع بسیار قابل توجهی برای تحقیقات پایه و تحقیقات کاربردی به شمار آمده اند. به هنگامی که اولین ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی (CNTFET ها) گزارش شدند، حتی چگونگی عملکرد آنها نیز مشخص نبود، اما پیشرفت ها در این زمینه سریع بوده اند. مفهوم فیزیک ابزاری CNTFET در حال حاضر نسبتا به خوبی درک شده است و ساختارهای پیچیده ترانزیستور با عملیات کاربردی بالا نیز جزء موارد گزارش شده اخیر تلقی می شوند. با وجود آنکه مسایل تولید در نهایت نقش قاطع و قابل توجهی را در هر نوع از فن آوری الکترونیک CNTآتی بازی می نماید، تمرکز ما در این مبحث بر روی فیزیک ابزارهای CNT – مخصوصا CNTFET می باشد. البته هنوز بیان این موضوع که نقش CNTFET ها در سیستم های الکترونیک آتی چیست بسیار زود می باشد، اما آنها محتوای خاصی را برای ما فراهم می آورند که بر مبنای آن قابلیت توسعه فن آوری و درک پارامترهایی چون حمل و نقل، تماس، سطوح مشترک و غیره وجود داشته که برای الکترونیک CNT به طور کلی مهم خواهند بود.
پیشرفت سریع در عملکرد CNTFET ها و در قابلیت ما جهت درک فیزیک ابزاری و پیش بینی عملکرد ابزارها را می توان بعنوان یک مبحث مطلوب به شمار آورده که در آن چگونگی بکارگیری رویه های تئوریکی و شبیه سازی های مرتبط، جهت حصول قابلیت تکمیل تحقیقات تجربی در رشته های نو ظهور تحقیقاتی، مد نظر می باشد. در این مبحث، ما ایده های خود را در خصوص آنچه که تاکنون درک شده است، همراه با همچنین پرسشهای بر جای مانده، مطرح می نماییم. درک ما در طی یک تعامل نزدیک با گروه پروفسور Hongjie Dai در دانشگاه استندفورد و همکاری نزدیک با لابراتورهای دیگر، مخصوصا گروه تحقیقاتی IBM افزایش یافته است.
ترانزیستورهای اثر میدان (FET) نانو لوله کربنی با ابزارهای سنجشی که فراتر از پارامترهای MOSFETهای سیلیکونی هستند (همانند تغییر ابزار در یک نسبت مشخص on-off) جزء موارد گزارش شده اخیر بشمار می آیند [۱]. همانگونه که در این شکل نشان داده شده است، درک ما از ابزارها به گونه ای پیشرفت داشته است که ویژگی های کلی آنها را می توان از نقطه نظر کمی تشریح نمود. تکنیک شبیه سازی که بعنوان یک فرآیند مفید اثبات شده است یک فورمالیسم تابع گرین (Green) غیر تعادلی (NEGF) در ارتباط با انتقال کوانتوم می باشد [۲] که به صورت خود سازگار با استفاده از معادله پواسون حل می گردد. یک رویه اجرایی بر مبنای تشریح اوربیتال pz در فضای مود پیرامونی به نظر بعنوان یک ابزاره شبیه سازی مفید اثبات شده است [۳].
نه تنها ویژگی های I-V را میتوان شبیه سازی نمود، بلکه تکنیک مربوطه فراهم آورنده بینشی تفصیلی در خصوص فیزیک ابزاری داخلی نیز می باشد. همانگونه که بوسیله شکل ذیل نشان داده شده است، چگالی حالات محلی بالستیک / پرتابه نشان دهنده ساختار کوانتوم، نوارهای فرعی مرکب، تونل زنی و حالات محدود در باند یا نوار والانس می باشد. اخیرا، پراکندگی فوتون نیز شامل شده است [۴] تا آنکه قابلیت بررسی فیزیک نوسانهای زیر آستانه ای sub-60 mV/decade که اخیرا به وسیله Appenzeller و همکاران گزارش شده است نیز حاصل شود [۵].
در این مقاله ، ما از شبیه سازیهایی جهت بررسی تعدادی از مسایل مربوط به این ابزار استفاده می نماییم. نقش مهم ارتباطات و روابط تعاملی بین فلز سورس / درین و MOSFET همانند سورس / درین های دوپه شده مورد بحث قرار خواهند گرفت. علاوه بر این نقش پراکندگی فوتون نیز تشریح شده و این موضوع نیز مورد بحث قرار می گیرد که چرا پراکندگی فوتون نوری قدرتمند دارای تاثیر اندکی بر روی جریان- on دارد. در وحله بعد، فرآیند تونل زنی نوار به نوار و نقش تونل زنی فوتون – مبنا مورد بحث قرار می گیرد. تاثیر نقص ها در CNT نیز مشخص شده و در نهایت مباحث خلاصه شده در خصوص چگونگی مقایسه CNTFET ها با دیگرها FET ها در نتیجه گیری عرضه می شود.
فیزیک ابزاری ترانزیستورهای اثر میدان FET نانو لوله کربنی
لطفا به جای کپی مقالات با خرید آنها به قیمتی بسیار متناسب مشخص شده ما را در ارانه هر چه بیشتر مقالات و مضامین ترجمه شده علمی و بهبود محتویات سایت ایران ترجمه یاری دهید.
