الف – پرداخت وجه بحساب وب سایت ایران ترجمه(شماره حساب)ب- اطلاع جزئیات به ایمیل irantarjomeh@gmail.comشامل: مبلغ پرداختی – شماره فیش / ارجاع و تاریخ پرداخت – مقاله مورد نظر --مقالات آماده سفارش داده شده پس از تایید به ایمیل شما ارسال خواهند شد.
قیمت
قیمت این مقاله: 15000 تومان
(ایران ترجمه - irantarjomeh)
توضیح
بخش زیادی از این مقاله بصورت رایگان ذیلا قابل مطالعه می باشد.
شماره
۹۴
کد مقاله
ELC94
مترجم
گروه مترجمین ایران ترجمه – irantarjomeh
نام فارسی
واکنش نوری فیلم های نازک نانو ذره کربنی و ترانزیستورهای آنها
نام انگلیسی
Optical response of carbon nanotube thin films and their transistors
تعداد صفحه به فارسی
۴
تعداد صفحه به انگلیسی
۴
کلمات کلیدی به فارسی
کلمات کلیدی به انگلیسی
مرجع به فارسی
چکیده
مرجع به انگلیسی
کشور
ژاپن
واکنش نوری فیلم های نازک نانو ذره کربنی و ترانزیستورهای آنها
این موضوع به گستردگی پذیرفته شده است که نانو لوله های کربنی تک جداره (SWNT ها) یکی از نوید بخش ترین مواد برای کاربردهای الکترونیک و کاربردهای نوری می باشند. پیشرفت اخیر در سنتز و فرایندهای انجام شده نه تنها سبب تولید لوله های منحصربفردی شده است بلکه موجب تولید فیلم های نازک SWNT ها نیز گردیده است که برای ابزاره های کارکردی مفید و در دسترس هستند. در این مقاله، ما نسبت به گزارش واکنش نوری فیلم های نازک SWNT و ترانزیستورهای آنها اقدام می کنیم.
در ابتدا، ما اقدام به گزارش نمودن واکنش نوری غیر خطی SWNT ها خواهیم نمود. بنابراین توجه زیادی به SWNT های عایق شده است، فیلم های بهم تابیده نیز برای کاربردهای مرتبط با سوییچ های نوری به واسطه واکنش های فوق سریع آنها حائز اهمیت می باشند. فیلم های SWNT معرف پیک های تحریک تیزی در طول موج ارتباطاتی نوری خود بوده و بنابراین راهکار قابل توجهی را در خصوص طیف سنجی نوری غیر خطی فراهم می آورند. یک ویژگی مهم فیلم های SWNT بهم تابیده آن است که وارفتگی/ ریلاکسیون این اکسیتون ها بسیار سریع تر از نوع مشابه در SWNT های عایق در محلول می باشد. این واکنش فوق سریع در فیلم های بهم تابیده به واسطه حالات اکسیتون ایجاد شده در لوله های نیمه رسانا به سرعت به لوله های فلزی مجاور انتقال داده شده که خود به صورت مشهود به وسیله طیف سنجی با پروپ پمپ مادون قرمز مشخص می باشد. به واسطه واکنش فوق سریع، ما قابلیت نشان دادن این موضوع را خواهیم داشت که اثر نوری اشتارک خود مسئول واکنش نوری غیر خطی بزرگ SWNT ها می باشد.
واکنش نوری فیلم های نازک نانو ذره کربنی و ترانزیستورها
موضوع دوم واکنش نوری تحت میدان الکتریکی یا استاتیک می باشد، که برای درک تفصیلی حالات اگزاتونیک مرتبط با SWNT ها مهم هستند. با این وجود، آلودگی لوله های فلزی سبب بازداشتن کاربرد میدان الکتریکی خارجی بر روی فیلم های SWNT خواهد شد. در اینجا ما نشان می دهیم که پیکربندی ترانزیستورهای فیلم نازک به ما اجازه بررسی طیف نوری تحت میدان الکتریک که غالبا به صورت عمود بر روی لوله می باشد را خواهد داد. ما مدالسیون های شدت با ویژگی انتقال های سرخ و پهن شدگی در طیف جذب اکسیتون تحت میدان الکتریک گیت را مشاهده نموده ایم. دو مورد اولی را احتمالا می توان از طریق اثر اشتارک تهدید کوآنتوم درک نمود، در حالیکه مورد آخری فراهم آورنده شواهدی از تجمع یا انباشتگی حامل می باشد.
موضوعات دیگر نظیر طیف سنجی مادون قرمز و ترانزیستورهای شفاف – انعطاف پذیر فیلم های نازک SWNT در این نشست مورد بررسی قرار خواهند گرفت. این تحقیق در تعامل با T. Takenobu (IMR، دانشگاه توهوکو)، M. Shiraishi (دانشگاه اوکازا)، H. Kishida، H. Okamoto (دانشگاه توکیو)، O. Zhou (دانشگاه کالیفرنیای شمالی) و J. Musfeld (دانشگاه تنسی) انجام شده است.
لطفا به جای کپی مقالات با خرید آنها به قیمتی بسیار متناسب مشخص شده ما را در ارانه هر چه بیشتر مقالات و مضامین ترجمه شده علمی و بهبود محتویات سایت ایران ترجمه یاری دهید.
