الف – پرداخت وجه بحساب وب سایت ایران ترجمه(شماره حساب)ب- اطلاع جزئیات به ایمیل irantarjomeh@gmail.comشامل: مبلغ پرداختی – شماره فیش / ارجاع و تاریخ پرداخت – مقاله مورد نظر --مقالات آماده سفارش داده شده پس از تایید به ایمیل شما ارسال خواهند شد.
قیمت
قیمت این مقاله: 15000 تومان
(ایران ترجمه - irantarjomeh)
توضیح
بخش زیادی از این مقاله بصورت رایگان ذیلا قابل مطالعه می باشد.
شماره
۲۶
کد مقاله
CHEM26
مترجم
گروه مترجمین ایران ترجمه – irantarjomeh
نام فارسی
نانو سیمهای ردیف شده اکسید تنگستن بر روی سوبستراهای (۱۰۰) تنگستن
نام انگلیسی
Aligned tungsten oxide nanowires on tungsten (100) substrates
تعداد صفحه به فارسی
۱۰
تعداد صفحه به انگلیسی
۳
کلمات کلیدی به فارسی
سیمهای ردیف شده , اکسید تنگستن , سوبسترا
کلمات کلیدی به انگلیسی
Aligned tungsten oxide nanowires, substrate
مرجع به فارسی
مرکز مواد پیشرفته, دپارتمان مهندسی برق و کامپیوتر, دانشگاه هوستون, ایالات متحده
دپارتمان علوم زمین شناسی, دانشگاه میشیگان, ایالات متحده
دپارتمان فیزیک, دانشگاه هوستون, ایالات متحده
الزویر
مرجع به انگلیسی
Center for Advanced Materials, Department of Electrical and Computer Engineering, University of Houston, USA , Deparment of Geological Sciences, University of Michigan, USA, Department of Physics, Texas Center for Superconductivity, University of Houston, USA; Elsevier
کشور
ایالات متحده
نانو سیمهای ردیف شده اکسید تنگستن بر روی سوبستراهای (۱۰۰) تنگستن
چکیده
نانوسیمهای WO3 با ساختار مکعبی مرکز پر بر روی سوبسترای (۱۰۰)W و با حرارت دادن در محیط آرگون رشد می کنند. خصوصیات میکروسکوپ پویشی الکترونی و میکروسکوپ عبوری الکترونی نشان می دهند که نانو سیمهای (NW های) WO3 در امتداد جهت کریستالوگرافی ]۱۰۰[ رشد کرده و در سه جهت ردیف می شوند. قطر NW های WO3 در محدوده چندین نانومتر تا ۲۰ نانومتر و طول آنها تا یک میکرومتر می باشد. اندازه گیریهای نشر میدانی نشان میدهند که چگالی جریان نشر میدانی تحت میدان الکتریکی ۱۰ v/µm می تواند به ۱٫۸ mA/cm2 برسد و میدان در حال کار می تواند به اندازه ۲٫۶ v/µm پایین باشد.
نانو سیمهای اکسید تنگستن سوبستراهای (۱۰۰) تنگستن
۱- مقدمه
نانوساختارهای اکسیدهای نیم رسانا به علت تواناییشان در نانوالکترونیک و اپتوالکترونیک توجه زیادی را به خود جلب کرده اند]۵-۱[. مخصوصا اکسیدهای تنگستن( WOx) با خواص الکتروکرومیک، اپتوکرومیک، گازکرومیک و کاتالیزوری برجسته به علت کاربردهای اطمینان بخش در وسایل الکتروکرومیک، نشر دهنده های الکترونی سرد، باتریهای ثانویه، حسگرهای گازی و فوتوکاتالیزورها از اهمیت زیادی برخوردارند]۱۱-۶[ . در چند سال گذشته، شکلهای مختلفی از نانوسیمهای(NW های) WO3 سنتز شده اند که شامل NW های مونوکلینیک W18O49 ]۱۴-۱۲[ ، NW های اورتورومبیک W3O8]15[ ، کریستالهای W5O14 شبه-۱D]16[ ، NW های شش وجهی WO3]18-17[ ، شبکه های NW چهاروجهی دو بعدی WO2.9]19[ و شبکه های NW مکعبی سه بعدی WO3]20[ می باشند. NW های WOx مستقیما نیز بر روی سوبسترای تنگستن رشد می کنند ]۲۲و۲۱[ اما اغلب NW های WOx به صورت تصادفی پخش می شوند و فاقد توزیع منظم و پایه سوبسترا هستند. در بیشتر کاربردهای عملی، کنترل دقیق موقعیت و جهتگیری قطعات ساختمانی نانومقیاس بر روی سوبستراهای مناسب پیش شرط مهمی است. رشد خود سامان یافته طبیعی NW ها در مقایسه با تکنیکهای گروهی مصنوعی ]۲۵-۲۳[ روش موثر و کم هزینه ای را برای تشخیص مواد نانوساختار با ردیف بندی بالا فراهم می کنند. ما در این مقاله روش ساده ای برای سنتز NW های ردیف شده WO3 با چگالی نقص بسیار پایین بر روی سوبسترای تنگستن را گزارش می کنیم. مورفولوژی (ریخت شناسی) و کیفیت NW های WO3 ما می تواند کاربرد آنها را در ابزارهای نشر میدانی تا حد زیادی مفید سازد. به عنوان مثال، این ساختار ردیف شده می تواند پوشش میدان الکتریکی حاصل از درهم پیچیدگی NW ها در جهتهای تصادفی رشد را تا حد زیادی کاهش دهد. رشد مستقیم NW ها بر روی سوبستراهای فلزی ، به ویژه با روابط هم بافته می تواند تماس الکتریکی عالی را تامین سازد. چگالی نقص پایین در NW ها می تواند کارایی یک نشر دهنده میدانی را به خاطر فروشکست بالاتر میدان الکتریکی افزایش دهد.
نانو سیمهای اکسید تنگستن سوبستراهای (۱۰۰) تنگستن
۲- جزئیات تجربی
رشد نانوسیمهای WO3 به وسیله فرآوری گرمایی سوبستراهای تک بلوری W در یک کوره لوله ای افقی معمولی انجام شد. کوره cm30 طول داشت و ناحیه cm10 از آن دمای یکنواختی داشت. ورقه های W از یک میله تک بلوری W با محوری در جهتگیری ]۱۰۰[ به مساحت ۰٫۲ cm2 و ضخامت ۰٫۸ mm بریده شد. ورقه های تک بلوری W به صورت مکانیکی و الکتروشیمیایی صیقل داده شدند و به دنبال آن با استون، ایزوپروپانول الکل و آب فاقد یون شسته و با نیتروژن خشک شدند. سپس، ورقه های W در گاز آرگون با فشار یک اتمسفر و سرعت جریان ۲۰۰ sccm ( sccm: سانتی متر مکعب استاندارد در دقیقه) به مدت یک ساعت در دمای ۸۵۰ درجه سلسیوس در ناحیه دمای یکنواخت کوره لوله ای حرارت داده شد. پس از فرآوری حرارتی، ورقه های W به وسیله تنظیم توان کوره لوله ای تا دمای اتاق سرد شدند در حالیکه جریان گاز آرگون خارج می شد تا محیط خنثایی به وجود آمده و حفظ شود. نانو سیمهای WO3 بر روی ورقه های W ایجاد شدند. محصولات سنتز شده به وسیله میکروسکوپی پویشی الکترونی (SEM) و میکروسکوپی عبوری الکترونی با تفکیک بالا(HRTEM) شناسایی شدند. بررسیهای اسپکتروسکوپی پرتو X با پخش انرژی (EDS) و پراش الکترونی ناحیه انتخابی(SAED) نیز در طی آزمایشهای TEM انجام گرفت، مطالعات نشر میدانی در محفظه ای که در دمای اتاق، خلا ۶٫۳×۱۰-۸ Torr داشت، انجام شد. یک ساختار دیودی موازی با یک فاصله بندی آندی- کاتدی ۲٫۳ mm مورد استفاده قرار گرفت.
نانو سیمهای اکسید تنگستن سوبستراهای (۱۰۰) تنگستن
۳- نتایج و بحث
شکل ۱ رشد NW های دارای چگالی بالا بر روی سوبسترای W را نشان میدهد. چگالی NW ها در وضعیت مسطح از وضعیتی که در آن حفره ها ( به وسیله پیکان آبی در شکل ا الف نشان داده شده) در طی فرایند صیقل سازی الکتروشیمیایی جهت تهیه سوبسترا ایجاد می شوند، بالاتر است. نماهای بالای حاصل از SEM نشان می دهند که این NW های روی سوبسترای W در سه جهت در هردو وضعیت مسطح و حفره دار رشد می کنند که این امر به وسیله پیکانهای قرمز در شکل ا ب) و ج) نشان داده شده اند. نمای جانبی با زاویه ۸۴ درجه نشان می دهد که تعدادی از NW ها به صورت عمودی با طول حداکثر ۱µm رشد کرده اند.
نانو سیمهای اکسید تنگستن سوبستراهای (۱۰۰) تنگستن
۴- نتیجه گیری
به طور خلاصه ، ما NWهای WO3 را بر روی تنگستن تک کریستالی (۱۰۰) با چگالی نقص پایین سنتز کرده ایم. خصوصیات SEM و TEM ، ساختار bccNW ها را با جهتگیری رشد در امتداد ]۱۰۰[ تایید می کنند. تمام NW ها تقریبا در سه جهت بر روی سوبسترا رشد می کنند. چگالی جریان نشر میدانی تحت میدان الکتریکی ۱۰ v/µm می تواند به ۱٫۸ mA/cm2 برسد و میدان در حال کار به اندازه ۲٫۶ v/µm پایین می باشد.
لطفا به جای کپی مقالات با خرید آنها به قیمتی بسیار متناسب مشخص شده ما را در ارانه هر چه بیشتر مقالات و مضامین ترجمه شده علمی و بهبود محتویات سایت ایران ترجمه یاری دهید.
