نانوپیپادها در فرآیند ساخت

نانوپیپادها در فرآیند ساخت – ایران ترجمه – Irantarjomeh

مقالات ترجمه شده آماده گروه برق – الکترونیک

مقالات ترجمه شده آماده کل گروه های دانشگاهی

مقالات

 نانوپیپادها در فرآیند ساخت

نانو لوله ای کربنی (CNT) قابلیت کپسوله سازی فولورین ها و متالوفولرین ها را دارند [۱]، آنچه اصطلاحا تحت عنوان نانوپیپادها یا به سادگی پیپادها خوانده می شوند، در حقیقت فرم نوین مواد هیبرید یا ترکیبی CNT– فولورین ها می باشند که در بردارنده برخی از ساختارها و خواص الکترونیکی نوین می باشند. یکی از مثال های برجسته برخی از این نانو پیپادهای فولورین شامل پیپادهای متالوفولرین  است.

خواص الکترونیکی پیپادهای متالوفولرین ،  ، با استفاده از طیف سنجی اتلاف انرژی الکترونی (EELS) [2، ۳]، میکروسکوپ تونلینگ پویشی و طیف بینی (STM/STS) [4] و برآوردهای حمل و نقل ترانزیستورهای اثر میدانی (FET ها) مورد بررسی قرار گرفته اند [۵]. در نانو لوله های نیمه رسانا باند گپ ممکن است از تقریبا ۵/۰ الی تقریبا ۱/۰ eV، همراه با درج متالوفولورین های اندوهدرال با خصلت تناوبی فضایی ۱/۱ نانومتر الی ۰/۸ نانومتر متفاوت باشند، که خود منوط به چگالی فولورین ها است. یافته های کنونی موکد آن است که پیپادهای متالوفولورین ممکن است نشان دهنده راهی به سمت ابزارهای الکترونیکی نوین باشند.

شکل ۱ نشان دهنده یک نمای شماتیک از آنچه ما آن را تحت عنوان نانو- پیپاد (نانو لوله کربنی تک جداره کپسوله یا کپسوله سازی متالوفولورین ها اندهدرال) می نماییم، بر مبنای مشاهدات میکروسکوپ انتقال الکترون با تفکیک پذیری بالا (HRTEM) می باشد.

شکل ۱ متالوفولورین های اندوهدرال کپسوله شده نانو لوله کربنی تک جداره (متالوفولورین نانوپیپیاد). متالوفولورین های کپسوله شده عبارتند از

تصاویر TEM و طیف اتلاف انرژی الکترون خود موکد آن می باشند که متالوفلورین ها را می توان به گونه ای به صورت منظم در کنار هم و نزدیک به هم با فاصله ۱/۱ نانومتر با یک ساختار «پیپاد» با چگالی بالا قرار داد، در حالیکه فاصله گذاری ۱/۱- سه نانومتر غالبا در پیپاد دارای چگالی پایین مشاهده شده است. در نمونه پیپباد  کنونی، در حدود ۱۰ درصد از بیش از ۲۰۰ تصویر SWNT نشان دهنده باندهای گپ نیمه رسانای اصلاح شده محلی می باشند.