نانوسیستم نانومواد نانولایه‌ها پوشش نانوساختاری

نانوسیستم نانومواد نانولایه‌ها پوشش نانوساختاری – ایران ترجمه – Irantarjomeh

مقالات ترجمه شده آماده گروه فنی مهندسی – بین رشته ای

مقالات ترجمه شده آماده کل گروه های دانشگاهی

مقالات

چگونگی سفارش مقاله

الف – پرداخت وجه بحساب وب سایت ایران ترجمه(شماره حساب)ب- اطلاع جزئیات به ایمیل irantarjomeh@gmail.comشامل: مبلغ پرداختی – شماره فیش / ارجاع و تاریخ پرداخت – مقاله مورد نظر --مقالات آماده سفارش داده شده پس از تایید به ایمیل شما ارسال خواهند شد.

نانو سیستم، نانومواد، نانوتکنولوژی لایه‌ها و پوششهای نانوساختاری

سنتز، ساختار و خصیصه‌های پوششهای غشاء ‌ماسه‌ای نازک

هدف: پذیرش موارد نوآوری شده و جدید در سطح جهانی موجب انجام تحقیقات مقدماتی در خصوص تاثیر شرایط نانوکریستال بر روی پیچیدگیهای گسترده خصیصه‌های عملی یک سطح،  غشاء‌های نازک چند لایه و پوششهای آن  به منظور استفاده خاص از آنها گردیده و بعلاوه پیشنهاداتی را در خصوص استفاده از مواد نانوکریستال عرضه شده در علم میکروالکترونیک و مهندسی مکانیک ارائه نموده است.

فیزیک و تکنولوژی بلورین واحد با رسوب در زیرلایه‌های بلورین واحد نظیر Al₂O₃ (سافیرین) با لایه سدی CeO₂ و LaAlO₃  انجام پذیرفت. تکنولوژیهای رسوب‌گیری با استفاده ار برداشت لیزری با پالس دو پرتویی و بیرون اندازی ماگنترون dc خارج از محور انجام می‌پذیرد. پارامترهای رسوب‌گذاری برای هر دوی این روشها بهینه گردیده است. نشان داده شده است که با برداشت لیزری پالس دو پرتویی و بیرون‌اندازی ماگنترون dc خارج از محور، تحت شرایط بهینه رسوب‌گذاری لایه‌های YBCO همبافته، می‌توان میزان قابل کنترلی از نقصهای ساختار کریستال یا بلور را مهیا نمود. انتقال الکترون میکروسکپی با رزولوشن بالا آشکار ساخته است که میزان اندکی از مجموعه‌های متفاوت از نقصهای خطی به هنگام هسته‌گذاری یا هسته‌بندی تشکیل شده و رشد لایه‌های YBCO همبافته مرتبط با شرایط واقعی رسوب لایه می‌باشد.

برحسب عبارت داده شده و کارهای انجام پذیرفته توسط نویسنده این مقاله توسعه راههای مدرن روشهای فیزیکی فرآیند سخت‌سازی آلومینیوم و آلیاژهای وابسته به آن بوسیله تشکیل سطح آنها و ناحیه نزدیک به سطح نیترید AIN قابل ملاحظه می‌باشد. آنالیز ارائه فرآیندهای فیزیکی‌ ـ شیمیایی که مسئول تشکیل چنین پوششی با استفاده از یونهای فعال نیتروژن خواهد بود بوجود آمده است. خصیصه‌های ساختاری و سختی سطح آلومینیوم خالص و برخی از آلیاژهای آلومینیوم پس از پرتوی ـ یون، پلاسمای یون و نیتروژه کردن لیزری داده شده است.

ضریبهای انتشار برای اتمهای Ti در سیستم لایه نازک/ Al(40 nm)  Ti(100 nm)  در محدوده دمای ۷۷۳٫٫٫۹۲۳ K با استفاده از SIMS و روش شیب متوسط بوسیله Hall-Morabito تعیین گردید. نشان داده شده است که ضریبهای انتشار وابستگی دما تابع رسم Arrhenius(پدر علم شیمی نوین) می‌باشد. مقادیر پیش توانی ضریب پخش ۲٫۱۰^-۱۰ cm^2.s^-1 و فعال‌سازی انرژی ۰٫۷۸ eV بدست آمده است.

برای اولین بار روش KIB دریافت‌کننده پوشش از آلیاژهای شبه اوتکتیک براساس آهن با فازهای معرفی دیرگداز یا مقاوم(کاربید و بورید فلزات گذرا) بوده است. این مسئله محرز گردیده است که بواسطه سرعت زیاد خنک‌سازی محصول میعان بر روی یک زیر لایه سرد، مکانیزم بلوری‌سازی ذوب تغییر می‌یابد. نتیجه این کار تشکیل ساختار ”کلوخه نازک فازها“ بجای ساختار ستونی می‌باشد. خصیصه ایجاد شرایط ریخته‌گری بوسیله رشد مشارکتی فازها حاصل می‌گردد. پوششهای زودگداز دریافت شده می‌توانند بسیاری از  کارها را انجام دهند از قبیل: ساخت واحدهای متشکله ابزارهای متحرک و سریع، ماشینها یا ادواتی که در شرایط اصطکاک کار می‌کنند و تاثیر متقارن بر محیط‌های خشن یا سخت.

نانوسیستم نانومواد نانولایه‌ها پوشش نانوساختاری

تجزیه و تحلیل لایه به لایه غیر مخرب ترکیب عنصری وجوه سطحی(۱۰۰) و         (۱۱۱) آلیاژ Pt_80­Co₂₀ بوسیله طیف‌بینی یونش، که اجازه می‌دهد تا ارتباط بین غلظت عنصری تعیین گردیده و عمق الکترونهای اولیه مورد بررسی قرار گیرند بعمل آمده است. استفاده از بهنجارش استانداردهای اضافه اجازه می‌دهد تا فاکتور ابزاری، تاثیر یونش مقطع عرضی و فاکتورهای پراکندگی کشسان یا ارتجاعی الکترونها، و همچنین نفوذ احتمالی تاثیرات ماتریس در محاسبات حذف گردد. دورترین لایه‌های این وجوه که بوسیله اتمهای Pt پربار شده و عملا دارای اتمهای Co نمی‌باشد نشان داده شده است. بنابراین در ناحیه نزدیک وجه، پروفیل تراکم نوسان که معمولا برای تنظیم سیستمهای باینری می‌باشد شکل یافته است. تغییرات جدانشینی ترکیب برای وجه(۱۱۱) باعث تاثیر بر کلیه لایه‌های اتمی تا میزان کاهش یک پنجم شده، ولی برای وجه(۱۰۰) تا میزان افزایش یک هشتم برقرار گردیده است. این نتیجه با محاسبات انجام شده، که در مقاله‌ دیگری براساس روش اتمهای محاط شده بعلاوه همانندسازی مونت‌کارلو منتشر گردید، مطابقت دارد.

الگوریتم غیرحلقوی برای همانندسازی پروفیل عمیق بر بیرون اندازی یون ساختارهای غشاء چند لایه‌ای طراحی گردید. روشهای شسب شرطی با داشتن اطلاعات قبلی در باره یکنواختی پروفیل غلظت عمق مورد استفاده قرار گرفت. اهمیت شبیه‌سازی ریاضی باعث کاهش پراکندگی فرم پروفیل عمق اولیه می‌گردید.

تحقیقات در خصوص تشکیل لایه‌های نانواندازه ترکیب دو ظرفیتی سیلیکون تیتان بر روی سیلیکون تک بلوری انجام پذیرفت. همچنین نشان داده شده است که وابستگی ضخامت لایه بوجود آمده شمایلی نظیر  دارد. در مرحله اولیه این فرم دارای یک کاراکتر خطی بوده و پس از آن بوسیله معادله Avraamy تشریح می‌گردد. در مرحله انتها ضخامت لایه بوسیله قانون شلجمی بمثابه زمان پخش فورانی تغییر می‌کند. علاوه براین مشخص گردیده است که فاکتور انتشار سیلیکون در لایه تایتانیک سطحی باعث تشکیل ۴٫۱۰^-۱۶ m²s^-1  در مراحل فرم‌پذیری و رشد کریستالیتها در فازهای سیلیکون و در مرحله تشکیل لایه سخت TiSi₂ می‌شود. تحقیقات انتشار ^۶۳_NI  در جفت انتشاری ”مس ـ نیکل پودری فوق‌پراکنده“ در یک دوره بازپخت در دمای ۷۷۳ و k913 انجام پذیرفت. همچنین افزایش غیرعادی انتشار Ni در مس در حضور بلورهای فوق‌ پراکنده در محدوده nm 8…6 در مقایسه با Ni حجمی معمولی در مس برقرار گردید.

نانوسیستم نانومواد نانولایه‌ها پوشش نانوساختاری

لایه‌های سطح نانوساختار بر روی زیر لایهSi(100) تشکیل شد. این لایه‌ها شامل کمپلکسهای ”مولکول فلزی اتم‌ـ تهیجای ـ جذب شده با گروه OH“ بوده و از خود حساسیت بالایی را در برابر انرژی کم(E<100 eV) تابش‌دهی الکترون نشان می‌دادند. فانکشن عمل غیرخطی  وابستگی(نشان‌دهنده حداکثر) اجازه می‌دهد تا بصورت معکوس هم و هم رسانایی الکتریکی را تحت عمل سیگنال پرتوی الکترون خارجی با دامنه کم(I) و انرژی(E) کنترل نمائیم. حالتهای متمرکز چنین کمپلکسی(با انرژی فعال در محدوده ۰٫۲ …۰٫۳ eV) را می‌توان به یک وضعیت نیمه پایدار انتقال داد(پس از بدست آوردن مثلا ۸۰-eV الکترون). تغییر در مسیر کمپلکس بر روی سطح بوسیله تغییر در برهم‌کنش کولنی و خصیصه پیوندهای میان‌‌اتمی حاصل می‌گردد. جهت کمپلکس دوقطبی بر روی سطح در ۱۰۰oC عملا بصورت نامحدود تداوم می‌یابد. انتقال به وضعیت زمین تحت عمل الکترونهایی که دارای انرژی بیشتری هستند(مثل، E=160 eV) روی می‌دهد. این مواد می‌تواند برای توسعه منبع ذخیره اطلاعات با ظرفیت بالا بوسیله تولید پرتوهای الکترون باریک مورد استفاده قرار گیرند، بطور مثال بوسیله ابتدای تونل اسکن میکروسکپ. پراکندگی پراش برای الکترونهای کم انرژی بصورت مرتبه ۱nm می‌باشد. بنابراین، محدودیت تئوریکی این راه حل که بوسیله الکترونها قطعی می‌شود در حدود سه برابر بزرگی لیزرهای نیمه‌هادی ساطع‌کننده نوری می‌باشد که برای ذخیره‌سازی نوری داده از آنها استفاده می‌شود.