الف – پرداخت وجه بحساب وب سایت ایران ترجمه(شماره حساب)ب- اطلاع جزئیات به ایمیل irantarjomeh@gmail.comشامل: مبلغ پرداختی – شماره فیش / ارجاع و تاریخ پرداخت – مقاله مورد نظر --مقالات آماده سفارش داده شده پس از تایید به ایمیل شما ارسال خواهند شد.
قیمت
قیمت این مقاله: 25000 تومان
(ایران ترجمه - irantarjomeh)
توضیح
بخش زیادی از این مقاله بصورت رایگان ذیلا قابل مطالعه می باشد.
مدل پاره خطی(PWL) ممریستور (Memristor) و مثال کاربردیآن
نام انگلیسی
A PWL Model of Memristor and Its Application Example
تعداد صفحه به فارسی
۱۲
تعداد صفحه به انگلیسی
۱۰
کلمات کلیدی به فارسی
مدل پاره خطی، ممریستور
کلمات کلیدی به انگلیسی
PWL Model , Memristor
مرجع به فارسی
دانشگاه علوم و تکنولوژی چین
مرجع به انگلیسی
University of Electronic Science and Technology of China (UESTC) IEEE Explore
کشور
چین
مدل پاره خطی (PWL) ممریستور (Memristor) و مثال کاربردی آن
چکیده
در این مقاله یک مدل پاره خطی (PWL) ممریستور کشف شده جدید پیشنهاد می گردد. یک مدار مرتبه دوم ساده که شامل یک القاگر، یک خازن، یک مقاوم و یک ممریستور است که به عنوان مثالی جهت تشریح کاربرد این مدل عمل می نماید. معادله مدار پس از آن با بهره گیری از شبیه سازی مطلب اعمال می گردد. از این مثال عقیده بر این است که چنین مدلی قابلیت فراهم آوردن نتیجه رضایت بخشی را برای تحلیل مدارهایی که حاوی ممریستورها می باشند را خواهند داشت.
مدل پاره خطی PWL ممریستور
۱- مقدمه
با وجود آنکه این سیستم به عنوان عنصر چهارم مدار پاسیو / غیر فعال بوسیله پروفسور لئون از دانشگاه برکلی در سال ۱۹۷۱ مورد شناسایی قرار گرفت، ممریستور در کتابهای آموزشی یا مقاله ها تا اول می ۲۰۰۸ به هنگامی که ژورنال نیچر اقدام به چاپ یک نوع از اکتشافات قابل توجه به وسیله استنلی ویلیامز و تیموی در لابراتور سیستم های کوانتومی واطلاعات HP را نکرده بود چندان معروفیت نیافت. تیم HP در انتهای آوریل ۲۰۰۸ ادعا نمود که ابزاره ممریستورکه به وسیله آنها ساخته شده است از تکنولوژی نانو برخوردار میباشد. به زودی پروفسور لئون چو یک سخنرانی قابل توجهی را در زمینه ممریستور ارائه نمود: عنصر مدار چهارم که در نشست ششمین کنفرانس بین المللی در زمینه ارتباطات، مدارها و سیستم ها (ICCCAS) در ۲۳ می ۲۰۰۸ در شهر زیامن چین برگزار شد. به زودی پس از آن سیستم ممریستور و ممریستیو (MMS) سمپوزیوم ( که بوسیله NSF ، UC Berkeley و UC Merced برگزار شده بود و به ریاست Steve Kang برگزار گردید) در ۲۱ نوامبر در دانشگاه برکلی آغاز بکار کرد. در این سمپوزیوم متخصصین جهانی همانند پروفسور لئون چو از دانشگاه برکلی، دکتر استنلی ویلیامز، فیلکوکس و گرجسیندر از HP حضور داشتند. به علاوه پروفسور رینر ویسر از دانشگاه RWTH Aachen آلمان، پروفسور ماسی میلیانو از دانشگاه ساندیاگو، دکتر بلیز مانته از دانشگاه جرج مانسون ، دکتر پوشکار آپت از SIA ، دکتر جو ولسر از SRC که اقدام به تشریح تئوریکی اهمیت و پتانسیل کاربردی صنعتی متوالی MMS نمودند.
مدل پاره خطی PWL ممریستور
۲- معرفی منحنی V-I ممریستور و مدل PWL آن
بر حسب تکنولوژی اخیر، یک ابزاره ممریزستور جدید که به وسیله تکنولوژی نانو ساخته شده است را میتوان از طریق منحنی v-i وابستگی فرکانس (زمان) همانگونه که درشکل ۱ نشان داده شده است مشخص نمود. همانگونه که این شکل مشخص میشود، این منحنی همانند یک عدد ۸ خمیده میباشد.
مدل پاره خطی PWL ممریستور
۳- نوسان فشاری در یک مدار مرتبه دوم که حاوی یک ممریستوراست.
شکل ۳ نشان دهنده یک مدار RLCM است که از اوسیلاتور شناخته شده Chua از طریق جایگزین نمودن خازن چپ مدار اصلی به وسیله یک منبع جریان سینوسی مستقل i(t) تصحیح و تغییر یافته است، و همچنین به وسیله عنصر غیر خطی دیود Chua به وسیله یک ممریستور. بر حسب این مدار، ما میتوانیم پدیده ای که بر حسب ان شرایط اولیه مدار مشخص می شود را درک نماییم.
ارتباطات سازنده عناصر را میتوان به ترتیب به شرح ذیل نوشت:
…
مدل پاره خطی PWL ممریستور
۴- نتایج شبیه سازی مدار
نتایج شبیه سازی مطلب بردها یا مدارهای ارائه شده مشخص شدند. شکل موج های معمولی عبارتند از : ولتاژ در امتداد ممریستور vc(t)، جریان متعارف در امتداد h(t) ممریستور و نمای فاز بین vc(t) و h(t) در شکل ۴، ۵ و۶ نشان داده شده اند. توجه داشته باشید که شکل ۷ نشان دهنده نتیجه vc(t) می باشد که ازآن ما خواهیم دانست که اعوجاج شکل موج به میزان اندک در زمینه ولتاژ خازنی وجود دارد چرا که طیف فرکانس مرتبه بالایی آن ، مولفه ها، نسبتا اندک هستند. اعوجاج شکل موج از تاثیر غیر خطی ممریستور نشات می گیرد.
مدل پاره خطی PWL ممریستور
۵- ملاحظات مربوط به نتیجه گیری
یک مدل تئوریکی تقریبی ابزاره ممریزستور واقعی در این مقاله پیشنهاد شده است. بر مبنای این مدل ، ما می توانیم به طور تقریبی اقدام به اعمال آنالیز مدار نماییم تا انکه نتایج رضایت بخشی را حاصل کنیم. سزاواری های دیدگاه ما به شرح ذیل می باشند:
اجرای آسان تر آنالیز مدار در مقایسه با آنالیز دقیق آن. در مورد دومی احتمالا با مشکل حل مجموعه ای از معادلات غیر خطی و متغیر زمانی روبرو می شویم چرا که یک ممریستور حقیقی بسیار پیچیده تر می باشد.
نتایج شبیه سازی این مدار غیر خطی ضعیف با راحتی بیشتری درک می شود چرا که نوسان نیرومندی در این مدار نمونه رخ میدهد که ناشی از منبع جریان سینوسی همراه با دامنه نسبتا اندک است. از طرف دیگر، به هنگامی که با مدار غیر خطی قدرتمندی سر و کار داریم که حاوی ممریستورها میباشد، مدل ممریستور دقیق که در مرجع ۶ نشان داده شده است را می بایست در نظر گرفت. در حقیقت، برای زمان کنونی، ما اقدام به بررسی تعداد متفاوتی از مدارهای ممریزستور با استفاده از مدل ارائه شده بوسیله پروفسور فرانک ونگ در بخش مرجع ۶ نموده ایم.
لطفا به جای کپی مقالات با خرید آنها به قیمتی بسیار متناسب مشخص شده ما را در ارانه هر چه بیشتر مقالات و مضامین ترجمه شده علمی و بهبود محتویات سایت ایران ترجمه یاری دهید.
