الف – پرداخت وجه بحساب وب سایت ایران ترجمه(شماره حساب)ب- اطلاع جزئیات به ایمیل irantarjomeh@gmail.comشامل: مبلغ پرداختی – شماره فیش / ارجاع و تاریخ پرداخت – مقاله مورد نظر --مقالات آماده سفارش داده شده پس از تایید به ایمیل شما ارسال خواهند شد.
قیمت
قیمت این مقاله: 38000 تومان
(ایران ترجمه - Irantarjomeh)
توضیح
بخش زیادی از این مقاله بصورت رایگان ذیلا قابل مطالعه می باشد.
شماره
۱۵۳
کد مقاله
ELC153
مترجم
گروه مترجمین ایران ترجمه – irantarjomeh
نام فارسی
مدل تحلیلی تونل زنی سیلیکون- بر- عایق تک گیتی (SOI) ترانزیستورهای اثر میدانی (TFETs)
نام انگلیسی
Analytical model of single-gate silicon-on-insulator (SOI) tunneling field-effect transistors (TFETs)
تعداد صفحه به فارسی
۲۱
تعداد صفحه به انگلیسی
۵
کلمات کلیدی به فارسی
تونل زنی ترانزیستور اثر میدانی (TFET), تونل زنی باند– به– باند, مدل سازی تحلیلی, معادله پوآسون
دپارتمان مهندسی الکترونیک، دانشگاه سوگانگ، سئول، کره جنوبی، الزویر
مرجع به انگلیسی
Solid-State Electronics; Department of Electronic Eng., Sogang Univ., 1 Shinsu-dong, Mapo-gu, Seoul, Republic of Korea; Elsevier
کشور
کره
مدل تحلیلی تونل زنی سیلیکون- بر- عایق تک گیتی (SOI) ترانزیستورهای اثر میدانی (TFETs)
چکیده
این مقاله ارائه دهنده یک مدل تحلیلی دو بعدی تونل زنی سیلیکون– بر– عایق (SOI) تک گیتی ترانزیستورهای اثر میدانی (TFETs) می باشد. شدت پتانسیل و میدان الکتریکی به وسیله معادله پوآسون محاسبه شده و جهت استخراج مقادیر جریان تونل زنی به کار گرفته شده اند. روایی این مدل پیشنهادی به وسیله مقایسه نتایج تحلیلی با نتایج روش جزء محدود (FEM) مقایسه شده است.
کلمات کلیدی:تونل زنی ترانزیستور اثر میدانی (TFET)، تونل زنی باند– به– باند، مدل سازی تحلیلی، معادله پوآسون
تونل زنی سیلیکون بر عایق تک گیتی ترانزیستورهای اثر میدانی
۱- مقدمه
یک TFET به عنوان یکی از قابل توجه ترین کاندیدها در ارتباط با جایگزینی با MOSFET به شمار می آید. علت چنین فرایندی را می توان بدین گونه مطرح داشت که نوسان زیر آستانه ای (SS) TFET می تواند کمتر از ۶۰ mV/dec در دمای اتاق باشد، که در حقیقت محدودیت فیزیکی MOSFET تلقی می شود [۱-۳]. بعلاوه، TFET بر حسب اثرات کانال کوتاه (SCEs) دارای مزیت بیشتری در مقایسه با MOSFET می باشد، که می بایست در این رابطه قدر دان جریان (Ioff) بود. بنابراین، اخیراً، TFETها توجه محققین را به خود جلب نموده اند. برای ارزیابی دقیق و پیش بینی درست ویژگی های الکتریکی TFETها، بررسی مدل سازی مهم تلقی می گردد. با این وجود، تاکنون، غالب تحقیقات مدل سازی TFETs بر مبنای روش جزء محدود (FEM) ارائه شده اند [۲-۵]، در حالی که روش های تحلیلی کمتری در این مبحث حاصل آمده، چرا که اصول عملیاتی TFET کاملاً متفاوت از MOSFET می باشد. در بین نتایج مدل سازی تحلیلی اندک موجود، کلیه آن ها در تعامل با ساختارهای دو گیتی می باشند [۶-۹]، که سبب می گردند تا فرایند راه حل های تحلیلی به واسطه تقارن آن ها ساده به نظر برسد. در این مقاله، راه حل های تحلیلی TFETهای سیلیکون – بر – عایق (SOI) تک گیتی ارائه می شود. معادله پوآسون دو بعدی نیز جهت حاصل آوردن عبارات تحلیلی میدان پتانسیل و میدان الکتریکی عرضه می گردند. در نهایت، جریان درین (IDS) بر مبنای نتایج مدل سازی محاسبه می شود.
۲- استخراج مدل
شکل ۱ نشان دهنده شماتیک SOI TFET تک گیتی با ناحیه کانال آن می باشد. برای سادگی، این موضوع در نظر گرفته شده است که TFET در ناحیه زیر آستانه ای عمل می نماید و در آن حامل های سیار نادیده انگاشته شده و پیوندهای سورس ـ کانال و درین ـ کانال منقطع گردیده اند. هیچ گونه تهی شدگی در ناحیه سورس و درین در نظر گرفته نمی شود. انتهای لایه اکسید مدفون (BOX) به زمین متصل می شود. در صورتی که ضخامت لایه BOX (tBOX) بسیار کوچک باشد، افت ولتاژ در امتداد ناحیه BOX قابل اغماض خواهد بود. بنابراین، ما در نظر می گیریم که پتانسیل خط B–C صفر می باشد.
توزیع پتانسیل در اکسید گیت و ناحیه کانال TFET بر مبنای معادله پوآسون دو بعدی به شرح ذیل است:
۳- ارزیابی و مباحث
به منظور تصدیق مدل تحلیلی، شبیه سازی ابزار دو بعدی بر مبنای FEM با استفاده از SILVACO انجام شد [۱۱]. شرایط شبیه سازی در جدول ۱ خلاصه شده است. به واسطه فرض مدل تحلیلی پیشنهادی، نتایج شبیه سازی با نتایج FEM تنها در شرایط زیر آستانه ای مقایسه شده است.
تونل زنی سیلیکون بر عایق تک گیتی ترانزیستورهای اثر میدانی
۴- نتیجه گیری
در این مقاله، یک مدل تحلیلی SOI TFETs تک گیتی ارائه شده است. این مدل تحلیلی بر مبنای معادله پوآسون دو بعدی می باشد. شدت میدان پتانسیل و میدان الکتریکی محاسبه شده در توافق خوبی با نتایج FEM می باشد. از این نتایج، ویژگی انتقال TFETs محاسبه می گردد. بر مبنای این نتایج، ما به صورت عددی اقدام به حاصل آوردن ویژگی های IDS–VGS با استفاده از G نمودیم. این موضوع مشخص شده است که مدل پیشنهادی قابلیت ارائه بینش مطلوبی در ارتباط با فیزیک بنیادی TFETs نظیر SCEs را خواهد داشت.
لطفا به جای کپی مقالات با خرید آنها به قیمتی بسیار متناسب مشخص شده ما را در ارانه هر چه بیشتر مقالات و مضامین ترجمه شده علمی و بهبود محتویات سایت ایران ترجمه یاری دهید.
