الف – پرداخت وجه بحساب وب سایت ایران ترجمه(شماره حساب)ب- اطلاع جزئیات به ایمیل irantarjomeh@gmail.comشامل: مبلغ پرداختی – شماره فیش / ارجاع و تاریخ پرداخت – مقاله مورد نظر --مقالات آماده سفارش داده شده پس از تایید به ایمیل شما ارسال خواهند شد.
قیمت
قیمت این مقاله: 25000 تومان
(ایران ترجمه - irantarjomeh)
توضیح
بخش زیادی از این مقاله بصورت رایگان ذیلا قابل مطالعه می باشد.
شماره
۱۷۵
کد مقاله
ELC175
مترجم
گروه مترجمین ایران ترجمه – irantarjomeh
نام فارسی
دیودهای هندسی گرافنی برای رکتناهای نوری: فصل ۸ – ارتقای آتی
نام انگلیسی
GRAPHENE GEOMETRIC DIODES FOR OPTICAL RECTENNAS: Chap-08 – FUTURE IMPROVEMENT
تعداد صفحه به فارسی
۲۰
تعداد صفحه به انگلیسی
۱۴
کلمات کلیدی به فارسی
دیود هندسی گرافنی, رکتنای نوری
کلمات کلیدی به انگلیسی
GRAPHENE GEOMETRIC DIODE, OPTICAL RECTENNA
مرجع به فارسی
دپارتمان مهندسی برق، دانشگاه بریگهام یانگ، دانشگاه کلرادو بولدر
دپارتمان مهندسی برق، کامپیوتر و انرژی، دانشگاه کلرادو، ایالات متحده
مرجع به انگلیسی
Brigham Young University; University of Colorado Boulder; A thesis submitted to the
Faculty of the Graduate School of the
University of Colorado in partial fulfillment
of the requirement for the degree of
Doctor of Philosophy
Department of Electrical, Computer, and Energy Engineering
کشور
ایالات متحده
دیودهای هندسی گرافنی برای رکتناهای نوری
فصل ۸: ارتقای آتی
فصل ۸
ارتقای آتی
الف. روش های ارتقای عملکرد رکتنا
عملکرد آشکارساز رکتنای دیود هندسی ما را می توان حداقل به پنج روش ارتقاء داد. ساده ترین راه بکار گیری VDS جهت به حداکثررسانی عدم تقارن I(V) دیود می باشد، که خود سبب تغییر نقطه عملیاتی دیود می گردد (Moddel، ۲۰۱۲). هر دو مورد نتایج شبیه سازی و اندازه گیری شده معرف آن هستند که اثر هندسی به هنگامی افزایش خواهد یافت که VDS از صفر افزایش یابد. همانگونه که در شکل ۵ـ۸ نشان داده شده است، عدم تقارن دیود در VDS = 1.5 V در مقایسه با VDS = 1 V و ۰٫۵ V بالاتر می باشد. اثر مشابه ولتاژ درین ـ سورس در شکل ۵ـ۶ (ج) مشاهده می شود، که در آن با بکارگیری VDS قابلیت دو برابرسازی βd از ۰٫۱۲ A/W در بایاس صفر به ~۰٫۲۴ A/W در بایاس ۱ V وجود خواهد داشت. با این وجود، افزایش VDS همچنین سبب افزایش نویز می گردد. برای دیود مشخص شده در شکل ۵ـ۱۰، رکتنای D* در ابتدا به عنوان VDS ارتقاء یافته و در VDS بالاتر تنزل می یابد. با این حال، برای دیود هندسی در رکتناها، VDS بین ۱/۰ V و ۳/۰ V سبب حاصل آوردن عملکرد تشخیصی نوری مناسبی خواهد شد.
دیودهای هندسی گرافنی برای رکتناهای نوری: فصل ۸ – ارتقای آتی
با افزایش تفاضل ولتاژ (|VG − VCNP|) بین VG و ولتاژ نقطه خنثی بار VCNP همچنین سبب القای اثرات هندسی بالاتری می گردد (Moddel، ۲۰۱۲). همانگونه که در فصل ۵ بحث شد، به هنگامی که انتقال بار در داخل گرافن به عنوان یک ویژگی بالستیکی (low |VG − VCNP|) در نظر گرفته شود، عدم تقارن I(V) دیود هندسی گرافنی را می توان به هنگامی افزایش داد که VG از ۲۴ V به ۱۲ V تغییر می یابد و همچنین از ۲۴ V به ۳۲ V تغییر می کند. بنابراین، بدون اصلاح فیزیکی این ابزاره، ما قابلیت افزایش عدم تقارن بر حسب ضریب ۲ الی ۵ از طریق تغییر VDS و VG را خواهیم داشت.
سوماً، پاسخ دهی دیود را می توان از طریق تغییر شکل هندسی دیودها افزایش داد. در بخش بعدی این فصل، اقدام به ارائه یک دیود هندسی جدید تحت عنوان دیود شکل ـ Z می شود، که قابلیت ارائه یک پاسخ I(V) را خواهد داشت که از عدم تقارن بیشتری در مقایسه با دیود دارای شکل نوک پیکانی معکوس برخوردار می باشد.
به طور جایگزین، عملکرد تشخیصی رکتنا را می توان از طریق افزایش کیفیت گرافن و همچنین بار MFPL ارتقاء داد. چنین موردی را می توان از طریق ارتقای هر دو مورد فرآیند ساخت و خلوص گرافن نیز افزایش داد (Fan، ۲۰۱۱). کیفیت گرافن لایه برداری شده را نیز می توان از طریق یک سوبسترای نیترید بورن تطبیقی شبکه ای (BN) ارتقاء داد (Liu، ۲۰۱۳)، (Levendorf، ۲۰۱۲). البته مهیاسازی یک سطح مساحت بزرگ سوبستراهای BN کریستال خود چالش برانگیز می باشد. در حقیقت، مشابه با روش بکار گرفته شده در زمینه مهیاسازی پوسته های گرافنی، روش لایه برداری به عنوان بهترین روش جهت ایجاد ورقه ها یا پوسته های BN کریستالی مدنظر می باشد. بازدهی پوسته های BN لایه برداری شده به صورت موفق آمیز اندک می باشد. فرصت حاصل آوردن یک قطعه گرافنی مفید بر روی BN حتی کمتر از این است. در نتیجه، فرآیند بهتر جهت مهیاسازی یک سطح مقطع بزرگتر سوبسترای BN در این مبحث مدنظر خواهد بود.
دیودهای هندسی گرافنی برای رکتناهای نوری: فصل ۸ – ارتقای آتی
در نهایت، عملکرد کلی رکتنا را می توان از طریق بهینه سازی طراحی آن افزایش داد. در این مبحث از ساده ترین آنتن پاپیونی به واسطه آسانی ساخت آن و کارایی جذب انتخابی ـ قطبش استفاده شده است. طراحی های کارآمدتر آنتن، نظیر آنتن های متناوب لگاریتمی، که در مبحث مرتبط گزارش شده است (González و Boreman، ۲۰۰۵).
ب. دیودهای هندسی Z ـ شکل
بر خلاف دیود نوک پیکانی معکوس، دیود هندسی Z ـ شکل (شکل ۸ـ۱) از میدان الکتریکی در مسیر ـ y جهت حاصل آوردن عدم تقارن I(V) زیاد استفاده می نماید. نتیجه شبیه سازی این ابزاره در شکل ۸ـ۲ و ۸ـ۳ نشان داده شده است. مشخصه های I(V) دیود Z ـ شکل در مقایسه با دیود نوک پیکانی معکوس به صورت غیرخطی تر با در نظرگیری پهنای گردنه و شانه یکسان می باشد.
دیودهای هندسی گرافنی برای رکتناهای نوری: فصل ۸ – ارتقای آتی
لطفا به جای کپی مقالات با خرید آنها به قیمتی بسیار متناسب مشخص شده ما را در ارانه هر چه بیشتر مقالات و مضامین ترجمه شده علمی و بهبود محتویات سایت ایران ترجمه یاری دهید.
