الف – پرداخت وجه بحساب وب سایت ایران ترجمه(شماره حساب)ب- اطلاع جزئیات به ایمیل irantarjomeh@gmail.comشامل: مبلغ پرداختی – شماره فیش / ارجاع و تاریخ پرداخت – مقاله مورد نظر --مقالات آماده سفارش داده شده پس از تایید به ایمیل شما ارسال خواهند شد.
قیمت
قیمت این مقاله: 15000 تومان
(ایران ترجمه - irantarjomeh)
توضیح
بخش زیادی از این مقاله بصورت رایگان ذیلا قابل مطالعه می باشد.
شماره
۱۷۷
کد مقاله
ELC177
مترجم
گروه مترجمین ایران ترجمه – irantarjomeh
نام فارسی
دیودهای هندسی گرافنی برای رکتناهای نوری: فصل ۱۰ – نتیجه گیری
نام انگلیسی
GRAPHENE GEOMETRIC DIODES FOR OPTICAL RECTENNAS: Chap-10 – CONCLUSION
تعداد صفحه به فارسی
۷
تعداد صفحه به انگلیسی
۶
کلمات کلیدی به فارسی
دیود هندسی گرافنی, رکتنای نوری
کلمات کلیدی به انگلیسی
GRAPHENE GEOMETRIC DIODE, OPTICAL RECTENNA
مرجع به فارسی
دپارتمان مهندسی برق، دانشگاه بریگهام یانگ، دانشگاه کلرادو بولدر
دپارتمان مهندسی برق، کامپیوتر و انرژی، دانشگاه کلرادو، ایالات متحده
مرجع به انگلیسی
Brigham Young University; University of Colorado Boulder; A thesis submitted to the
Faculty of the Graduate School of the
University of Colorado in partial fulfillment
of the requirement for the degree of
Doctor of Philosophy
Department of Electrical, Computer, and Energy Engineering
کشور
ایالات متحده
دیودهای هندسی گرافنی برای رکتناهای نوری
فصل ۱۰: نتیجه گیری
فصل ۱۰
نتیجه گیری
در این مقاله، یک دیود گرافنی ابر سریع جدید با یک ثابت زمانی RC فوق کم برای کاربرد رکتنای نوری توسعه یافته است. دیودهای هندسی یکی از سریعترین دیودها در جهان به شمار می آیند. در این تز، دو نوع دیود هندسی مورد بحث قرار گرفته است: دیود هندسی نوک پیکانی معکوس و دیود هندسی شکل ـ Z. با توجه به پهنای ناحیه مشابه، دیودهای هندسی Z ـ شکل معرف عدم تقارن I(V) بسیار بیشتری در مقایسه با دیود نوک پیکانی معکوس می باشند.
در این مبحث اقدام به شبیه سازی کامپیوتری و انجام برآوردهای الکترونیکی جهت نشان دادن این موضوع شده است که ویژگی عدم تقارن هندسی دیود قابلیت ایجاد یک نامتقارن I(V) را خواهد داشت. بنابراین از شبیه ساز ساده جهت شبیه سازی مشخصه های I(V) برای دیودهای شکل نوک پیکانی معکوس استفاده شده است. برای ابزاره هایی که دارای حالت نامتقارن هندسی بزرگتری هستند، نظیر دیودهای شکل ـ Z، یک شبیه ساز نگارش کامل را می بایست برای حاصل آوردن نتایج دقیقتر بکار گرفت. در مقایسه با شبیه ساز ساده شده، شبیه ساز نگارش کامل شامل نقشه میدان ـ E واقعی و نیروهای برهمکنش بار ـ بار می باشد. بنابراین، اثر ایجادی بار در ناحیه به دام اندازی بار را می توان با شبیه ساز نگارش کامل شبیه سازی نمود. به علاوه، پاسخ فرکانس حاصله از این نوع از تأثیر ایجادی بار را می توان در آینده مورد بررسی قرار داد.
دیودهای هندسی گرافنی برای رکتناهای نوری: فصل ۱۰ – نتیجه گیری
ساخت دیودهای هندسی نیازمند موادی با MFPL دراز و تکنیک الگوسازی نانو لیتوگرافی کاملاً ظریف می باشد. کاربرد گرافن به عنوان ماده، کاملاً یک پیشرفت و دستاورد مناسب در پروژه دیود هندسی به شمار می آید. خصیصه های الکتریکی اندازه گیری شده دیودهای هندسی گرافنی سازگار با شبیه سازی های مونت کارلو می باشند. پاسخ دهی دیود در بایاس درین ـ سورس صفر برابر با ۰۱۲/۰ A/W می باشد. به غیر از دیودهای p-n متعارف، ولتاژ درین ـ سورس باز دیودهای هندسی برابر با ۰ V است. یک ویژگی قابل توجه دیگر دیودهای هندسی گرافنی قابلیت معکوس شدگی قطبیت از طریق بکارگیری ولتاژ گیت می باشد.
ساخت دیودهای هندسی گرافنی با ویژگی نامتقارن I(V) بالا به عنوان یک وظیفه آسان به حساب نمی آید. لایه برداری گرافن یک فرآیند پیچیده می باشد و نمی توان آن را برای تولید انبوه بکار گرفت. به علاوه، گرافن به آسانی آلوده می شود. کیفیت الکتریکی گرافن با افزایش مراحل پردازشی ساخت آن تنزل خواهد یافت. ناخالصی ناخواسته نیز خود به مشکلات گرافن در فرآیند پوشش دهی PMMA و فرآیند پرتوی ـ e می افزاید. در آینده، فرآیندهای ایده آل جهت الگوسازی گرافن به طور کلی می بایست از هر گونه پروسه های شیمایی و لیتوگرافی پرهیز نمایند. یک رویکرد محتمل کاربرد پلاسمای هیدروژن جهت اچ گرافن پس از ساختار شبکه ای آن در سطح اتمی می باشد. در صورت محتمل بودن، محیط اندازه گیری ایده آل این ابزاره می بایست تحت خلأ و در دمای پایین حفظ شود.
سلول های خورشیدی رکتناها از دیودهای هندسی گرافنی استفاده نموده و در حقیقت به عنوان مؤلفه های جذاب با کارایی کاملاً بالا و با هزینه ساخت پایین به شمار می آیند. بدون هر گونه بهینه سازی رکتناهای دیودی هندسی کنونی به عنوان بهترین آشکارسازهای تراهرتزی و فروسرخ در جهان به شمار می آیند. رکتنا با استفاده از دیود هندسی Z ـ شکل دارای یک مقدار NEP برابر با ۲٫۳ nW Hz−۱/۲در THz 28 می باشد. از نظر تئوری، رکتنا با استفاده از دیودهای هندسی شکل ـ Z قابلیت حاصل آوردن یک مقدار NEP به اندکی ۱۰-۱۰ NEP در فرکانس های IR را خواهند داشت.
دیودهای هندسی گرافنی برای رکتناهای نوری: فصل ۱۰ – نتیجه گیری
با این وجود، تحقیقات انجام شده بر روی دیودهای هندسی همچنان دوره طفولیت خود را طی می نمایند. جهت برداشت انرژی یا حتی انرژی فرکانس نوری خورشیدی، یک پیشرفت قابل ملاحظه در ارتقای ویژگی نامتقارن I(V) دیود ضروری می باشد. در حقیقت، افزایش این ویژگی منجر به عدم تقارن I(V) بیشتر می گردد، اما این مورد برای حاصل آوردن مؤلفه مورد نیاز برای برداشت انرژی کفایت ندارد. روش های پیشنهادی تشریح شده در فصل ۸ صرفاً قادر به ارتقای خطی عدم تقارن I(V) دیود هستند. بدون هر گونه میدان خارجی، ناحیه ساخت دیودهای هندسی عمدتاً به عنوان یک مسیر نشتی برای بارها که در امتداد مسیر معکوس سیر می نمایند به شمار می آید. نوآوری خلاقانه جهت تغییر پروفایل حامل بار ذاتی در داخل ابزاره ممکن است قابلیت بلوکه سازی کامل این مسیر نشتی را داشته باشد و بتواند به صورت نمایی اقدام به ارتقای ویژگی نامتقارن I(V) دیود نماید. چنین موردی را می توان از طریق اضافه نمودن یک میدان گیت و بکارگیری یک میدان الکتریکی خارجی و میدان مغناطیسی حاصل آورد. سه ابزاره گرافنی ترمینال را می توان به عنوان راهکار دیگر جهت ارتقای کارآمد سیستم رکتنا در نظر گرفت.
در نتیجه گیری، دیودهای هندسی همچنان به عنوان بهترین کاندیدها برای کاربرد در رکتناهای نوری جهت برداشت انرژی به شمار آمده و بنابراین به منظور بکارگیری سلول های خورشیدی رکتنا با استفاده از دیودهای هندسی، به عنوان یک ویژگی واقعی ضروری، به تحقیقات بیشتری نیاز داریم.
دیودهای هندسی گرافنی برای رکتناهای نوری: فصل ۱۰ – نتیجه گیری
لطفا به جای کپی مقالات با خرید آنها به قیمتی بسیار متناسب مشخص شده ما را در ارانه هر چه بیشتر مقالات و مضامین ترجمه شده علمی و بهبود محتویات سایت ایران ترجمه یاری دهید.
