خواص الکترونیک و کاربردهای نانولوله های کربنی نیمه رسانایی
خواص الکترونیک و کاربردهای نانولوله های کربنی نیمه رسانایی – ایران ترجمه – Irantarjomeh
مقالات ترجمه شده آماده گروه برق – الکترونیک
مقالات ترجمه شده آماده کل گروه های دانشگاهی
مقالات
قیمت
قیمت این مقاله: 15000 تومان (ایران ترجمه - irantarjomeh)
توضیح
بخش زیادی از این مقاله بصورت رایگان ذیلا قابل مطالعه می باشد.
شماره | ۹۳ |
کد مقاله | ELC93 |
مترجم | گروه مترجمین ایران ترجمه – irantarjomeh |
نام فارسی | خواص الکترونیک و کاربردهای نانولوله های کربنی نیمه رسانایی |
نام انگلیسی | Electronic properties and applications of semiconducting carbon nanotubes |
تعداد صفحه به فارسی | ۵ |
تعداد صفحه به انگلیسی | ۵ |
کلمات کلیدی به فارسی | |
کلمات کلیدی به انگلیسی | |
مرجع به فارسی | چکیده |
مرجع به انگلیسی | |
کشور | ایالات متحده |
خواص الکترونیک و کاربردهای نانولوله های کربنی نیمه رسانایی
رشد نانولوله های کربنی دارای جداره اندک / واحد و کیفیت بالا، به درازای (بیش از یک میلیمتر) CNT) ها) بر روی زیر لایه ها به وسیله رسوب بخار شیمیایی به ما اجازه بررسی دقیق خواص ذاتی الکترونیکی مواد را خواهد داد. اخیرا ما نسبت به سنجش الکتریکی بر روی CNT های نیمه رسانا تا طول ۸۰۰ میکرون در یک هندسه ترانزیستور اثر میدانی (FET) ا قدام نمودیم. (شکل ۱) و مشخص ساختیم که تحرک حامل بار الکتریکی بزرگتر از ۱۰۰٫۰۰۰در دمای اتاق می باشد که خود به عنوان بهترین نوع نیمه رساناهای شناخته شده مدنظر است.
تحلیل رفتار FET در بایاس درین بالاتر معرف آن است که CNT های نیمه رسانا فرایند اشباع سازی جریان را به واسطه نشر فوتون نوری تجربه نمی کنند (همان گونه که در CNTهای فلزی مشاهده شده است) اما در مقابل معرف اشباع سرعت حامل در حدود می باشند، که تقریبا سه برابر بیشتر از مقدار مرتبط با FETs ها است. تلاش های اخیر ما بر روی منابع پراکندگی تمرکز داشته است که سبب محدود سازی تحرک در CNT نیمه رسانایی می گردد. تحرک مستقل از دما به صورت نسبی همراه با عدم نظم در تصویر پویش شده – گیت CNT های نیمه رسانایی دیده شده است که خود موکد آن می باشد که پراکندگی نقص، بواسطه نقص های باردار در زیر لایه، بر روی مقاومت یا استحکام CNT حتی در دمای اتاق تاثیر داشته و این تحرک ممکن است بطور معنی داری در غیاب چنین نقص هایی بیشتر نیز باشد. به منظور مطالعه CNT ها بدون زیر لایه، ما نسبت به مهیا سازی CNT های معلق دارای تماس الکتریکی بدون مواجه با مقاومت ها یا حلال های (بزرگتر از ۱۰۰ میکرون) اقدام نمودیم. ما خواص الکتریکی این نانو لوله ها را از طریق الکترودهای ثابت و با استفاده از ادوات بررسی متحرک در موقعیت طبیعی با استفاده از یک میکروسکوپ الکترون پویشی مورد بررسی قرار دادیم (شکل ۲) ما همچنین اقدام به بررسی واجذبی مواد جذب شده طبیعی در CNTها نموده و تغییرات حاصله در خواص الکتریکی را مورد کنکاش قرار دادیم.
خواص الکترونیک و کاربردهای نانولوله های کربنی نیمه رسانایی
با طول حدودا ۳۰۰ میکرون بین کابل های برق
شکل ۲٫ بررسی الکتریکی نانو لوله کربنی معلق. این میکروگراف الکترون پویشی نشان دهنده چهار میله بررسی الکتریکی تنگستن (زرد) در تماس با نانو لوله کربن معلق (سبز) می باشد. ناحیه آبی زیر لایه دی اکسید سیلیکون می باشد که از آن نانو لوله رشد یافته است.