ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی

ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی – ایران ترجمه – Irantarjomeh

مقالات ترجمه شده آماده گروه برق – الکترونیک

مقالات ترجمه شده آماده کل گروه های دانشگاهی

مقالات

 ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی- آخرین دستاوردها

در خلال چندین سال اخیر نانو لوله های کربنی (CN) ها خود توجه بسیاری را تحت عنوان بلوک های اصلی کاربردهای الکترونیک بخود جلب نموده اند. در حالیکه که نانو لوله های فلزی به عنوان سیستم های میان اتصالی در مدارهای مجتمع شناخته می شوند، لوله های نیمه رسانایی به عنوان مولفه ها یا اجزای ترانزیستور اثر میدان (FET) مشخص می گردند. از آنجایی که اولین عملیات CNFET در سال ۱۹۹۸ انجام شد، عملکرد این ابزار به میزان قابل توجهی ارتقا یافته است. در بین دیگر موارد این مورد نیز نشان داده شده است که CNFETs ها در یک حالت بالستیک / پرتابه ای حتی در دمای اتاق عمل نموده که خود فراهم آورنده ولتاژهای درین و گیت چندان بزرگی نبوده و طول کانال آنها فراتر از چندین صد نانو متر نخواهد بود.

یکی از یافته های غیر قابل انتظار فوق العاده در زمینه CNFETs ها این موضوع می باشد که آنها را نمی توان در محدوده یک مدل MOSFET متعارف تشریح نمود. اصلی ترین مشاهده را می توان اینگونه بیان داشت که عملکرد ترانزیستورهای نانو لوله کربنی در حقیقت مشابه با ابزاره های مانع شوتکی می باشد. به علاوه این موضوع نیز مشخص شد که راه گزینی در نیمه رساناهای اندازه نانومتر، نظیر نانو لوله های کربنی، در تماس با الکترودهای فلز سورس/ درین به طور کامل با استفاده از سطوح میانجی یا مشترک فلز/ نیمه رسانا و وابستگی – میدانی آنها مشخص می شود، البته به شرط آنکه انتقال در نیمه رسانا به صورت بالستیک / پرتابه ای باشد. با استفاده از نوع خاص خواص نانو لوله، ما قابلیت حصول بینش های مهمی در باب موضوع  انتقال چند موده / چند حالته در CNFETs ها را خواهیم داشت و مهمتر آنکه اخیرا قابلیت ساخت اولین تونل سازی باند- به- باند CNFET با یک رفتار راه گزینی سریعتر، در مقایسه با موارد حاصله با استفاده از هر یک از دیدگاه های ترانزیستور متعارف، را حاصل آورده ایم.

این مبحث علی الخصوص چنین دیدگاه حیاتی در ارتباط با انتقال / حمل و نقل در نانو لوله های کاربنی را تحت پوشش قرار داده و پتانسیل عملکرد تونل زنی CNFETs ها را نیز تشریح خواهد نمود.